◆ 成果名称：一种BOX形氮化硅波导及其制备方法

 

◆ 产出类型：发明专利

 

◆ 专利描述：

 

本发明公开了一种BOX形氮化硅波导及其制备方法，属于光学材料技术领域，该方法包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层；刻蚀第一牺牲层和第二牺牲层，去除第二牺牲层，形成条形槽；生长氮化硅材料，一部分生长在条形槽内，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成BOX氮化硅槽；生长第二包覆层，一部分填充满BOX氮化硅槽，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成光滑表面；生长氮化硅材料，覆盖光滑表面；刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料，形成BOX氮化硅波导，刻蚀第一牺牲层；在第一包覆层和BOX氮化硅波导上生长第三包覆层，解决了传统工艺直接刻蚀介质材料SiO<Sub>2</Sub>垂直度不高的问题。

 

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